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Um mecanismo de falha de inversores CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) caract...

Um mecanismo de falha de inversores CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) caracteriza-se pela formação de um retificador controlado de silício (SCR) biestável a partir do acoplamento cruzado de transistores “npn” e “pnp” parasitas, desenvolvendo caminhos de baixa resistência entre o dreno e o corpo dos inversores que normalmente são aterrados. É, então, estabelecida uma malha de realimentação que faz circular uma corrente elevada entre o dreno e o corpo, resultando no desligamento da fonte de alimentação ou no derretimento dos terminais de alimentação. Tal mecanismo de falha denominase:
A
Eletromigração.
B
Sobrecarga elétrica.
C
Auto-aquecimento.
D
Latch-up.
E
Portadores “quentes” (“hot carriers").