Questão 700307 - Eletrônica Analógica
Concurso: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC (CEITEC) 2012
Cargo: Analista Administrativo - Área Engenharia Elétrica (ETEA - EDIECO)
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Nível: Superior
Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Eletrônica Eletrônica Analógica
Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (VGS), e entre dreno e fonte (VDS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:
I) Para uma tensão VGS fixa, acima da tensão de limiar (Vt), variando-se a tensão VDS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.
II) Se VDS = VGS - Vt, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em VDS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.
Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:
- A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
- B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
- C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
- D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
- E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.