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Q699664
Teclas de Atalhos
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Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é
correto afirmar que:
A
São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato
“p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.
B
São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.
C
São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.
D
São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.
E
São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade
“n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.