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Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,...

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Q700234
Teclas de Atalhos
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Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência - FUNRIO
Prova: FUNRIO - CEITEC - Analista Administrativo - Área Engenharia Elétrica - 2012
Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?
A
São 1,1 eV e 9,0 eV.
B
São 1,1 eV e 2,0 eV.
C
São 6,0 eV e 9,0 eV.
D
São 9,0 eV e 1,1 eV.
E
São 9,0 eV e 2,0 eV.