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Q700444
Teclas de Atalhos
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A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de
A
junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
B
junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
C
junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
D
junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
E
junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.