Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para ...

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?
A
Em torno de 1 MeV.
B
Em torno de 100 keV.
C
Em torno de 10 MeV.
D
Em torno de 50 keV.
E
Em torno de 1 keV.