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Q700480
Teclas de Atalhos
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Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta
rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície.
O processo de deposição ora descrito é conhecido como
A
deposição física a partir de vapor à pressão atmosférica.
B
deposição química de vapor melhorada por plasma.
C
spin-on.
D
deposição física a altas temperaturas.
E
deposição física por Sputtering.