Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.
Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.
Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.
Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.
Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.
Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.