Questão 632830 - Eletrônica Analógica
Concurso: Ministério da Ciência e Tecnologia (MCT) 2004
Cargo: Tecnologista Júnior - Área Engenharia Elétrica (Código E17)
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE/CEBRASPE)
Nível: Superior
Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Eletrônica Eletrônica Analógica
Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.
O baixo consumo de corrente na porta, principal vantagem dos FET, é uma característica que se nota especialmente quando o sinal conectado à porta é de alta freqüência.
- C. Certo
- E. Errado