Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Eletrônica Eletrônica Analógica

No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue. I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas. II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto. III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.
  • A. Apenas I é verdadeira.
  • B. Apenas II é verdadeira.
  • C. Apenas I e II verdadeiras.
  • D. Apenas I e III verdadeira.
  • E. I, II e III são verdadeiras.