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Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de ...

Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)
A
25 ns e 75 ns.
B
2,5 ns e 7,5 ns.
C
5 ns e 90 ns.
D
50 ns e 150 ns.
E
45 ns e 45 ns.