Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem. Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem. Quando esse capacitor é polarizado na região de inversão forte, a capacitância varia com a freqüência do sinal de teste. Essa variação fornece informações sobre o tempo de vida de portadores minoritários no substrato. Quando esse capacitor é polarizado na região de inversão forte, a capacitância varia com a freqüência do sinal de teste. Essa variação fornece informações sobre o tempo de vida de portadores minoritários no substrato.

Quando esse capacitor é polarizado na região de inversão...

Q632853

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Transformadores para instrumentos, Transformador de potencial e Transformador de corrente

Ano: 2004

Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB - CESPE CEBRASPE

Prova: CESPE/CEBRASPE - MCT - Tecnologista Júnior - Área Engenharia Elétrica - 2004

Quando esse capacitor é polarizado na região de inversão forte, a capacitância varia com a freqüência do sinal de teste. Essa variação fornece informações sobre o tempo de vida de portadores minoritários no substrato.

Certo

Errado

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