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Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial ...

Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?
A
Possibilitar a criação de dispositivos PMOS.
B
Possibilitar a criação de dispositivos NMOS.
C
Reduzir a possibilidade de interferência de sinal entre transistores vizinhos.
D
Servir como dreno ou fonte para os transistores NMOS.
E
Introduzir dispositivos do tipo diodo retificador no chip.