Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,

a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte.

a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno.

dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo.

dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica.

a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões.