Questão 700247 - Ciências dos Materiais
Concurso: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC (CEITEC) 2012
Cargo: Analista Administrativo - Área Engenharia Elétrica (ETEA - CQUALF)
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Nível: Superior
Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Ciências dos Materiais
Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?
- A. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
- B. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
- C. Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
- D. Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
- E. Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.