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Q700446
Teclas de Atalhos
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Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:
1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes
2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga
nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs
3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado
Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:
A
Apenas a primeira.
B
Apenas a segunda.
C
Apenas a terceira.
D
Apenas duas delas.
E
Todas as três.