Questão 700449 - Ciências dos Materiais
Concurso: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC (CEITEC) 2012
Cargo: Analista Administrativo - Área Engenharia Elétrica (ETEA - IMPION)
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Nível: Superior
Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Ciências dos Materiais
Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?
- A. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
- B. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
- C. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
- D. Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
- E. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.