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Q700449
Teclas de Atalhos
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Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?
A
Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de
colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
B
Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir
com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
C
Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir
com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
D
Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
E
Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de
colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.