O modelo de Ebers-Moll pode ser utilizado para modelar o comportamento de transistores bipolares. Supondo os seguintes
parâmetros: IB, IC, IE são as correntes de base, coletor
e emissor, respectivamente; ICD e IED são as correntes dos
diodos de coletor e emissor, respectivamente; αF, αR são os
ganhos de corrente em base comum direto e reverso respectivamente,
o modelo de Ebers-Moll para um transistor NPN
é: