O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos sinais são gm = 16,6 × 10-3 S, rπ = 6,0 kΩ e ro = 121 kΩ. Com referência a esse circuito, julgue os itens seguintes. Para que haja máxima absorção de potência pela carga RG , é necessário que o valor de RG seja diferente da resistência equivalente de Thévenin do circuito amplificador, que, no circuito apresentado, é dada precisamente por 2,5 kΩ.

Para que haja máxima absorção de potência pela carga RG ,...

Q373106

Ciências Aeronáuticas Eletrônica Analógica

Ano: 2009

Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB - CESPE CEBRASPE

Prova: CESPE/CEBRASPE - ANAC - Especialista em Regulação de Aviação Civil - 2009

Para que haja máxima absorção de potência pela carga R_G , é necessário que o valor de R_G seja diferente da resistência equivalente de Thévenin do circuito amplificador, que, no circuito apresentado, é dada precisamente por 2,5 k $Ω$ .

Certo

Errado

Comentários Marcadores Anotações (0) Estatísticas Reportar erro

Para que haja máxima absorção de potência pela carga RG , é necessário que o valor de R...