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Transistores bipolares de junção e MOSFETs apresentam consideráveis semelhanças no que concerne aos seus parâmetros elétricos, caraterísticas de polarização e regiões de operação. Citando um exemplo especificamente em relação ao comportamento de parâmetros, pode-se dizer que a tensão VBE dos TBJs é análoga à tensão limiar Vt dos MOSFETs.
Em vista disto, considere que um MOSFET tipo enriquecimento canal n, com tensão Vt = 2 V, está com seus terminais polarizados conforme a figura:

Fonte: IFSP, 2022.
Acerca de seus parâmetros de tensão e corrente, mediante suas regiões de operação, aponte a alternativa correta:
Quando a tensão, entre a porta e a fonte do MOSFET, estiver em 6 V, enquanto que a tensão, entre dreno e fonte, apresentar 3 V, a operação estará na região de triodo.
Quando ocorrer vGS = 3 V, o MOSFET estará no corte.
Quando a tensão entre dreno e fonte estiver em 2 V, o MOSFET operará no limiar.
Quando a tensão, entre a porta e a fonte do MOSFET, estiver em 7 V, enquanto que a tensão, entre dreno e a fonte, apresentar 1,5 V, a operação estará na região de saturação.