Um transistor NPN integra um circuito e encontra-se polarizado, de modo que o seu ponto quiescente é caracterizado por: VCE = 4,5 V; VBE = 0,68 V; IC = 3 mA; IB = 12µA. Nesse caso, a potência dissipada pelo coletor (PC) e o ganho direto de corrente (hFE) valem, respectivamente,
54,0 µW e 250
54,0 mW e 400
20 mW e 250
13,5 mW e 400
13,5 mW e 250