Usando o fato de que um diodo de silício tem Is=10-14 A a...

Q1543531

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Características e propriedades dos materiais condutores, semicondutores isolantes

Ano: 2013

Banca: Comissão Permanente do Vestibular da Universidade Federal do Rio Grande do Norte - COMPERVE UFRN

Prova: COMPERVE-UFRN - UFERSA - Técnico - Área: Eletrotécnica - 2013

Imagem associada para resolução da questão

Usando o fato de que um diodo de silício tem I_s=10^-14 A a 25 ^oC e que I_s aumenta em 15% por ^oC de aumento na temperatura, o valor de I_s a 125^oC será, aproximadamente,

1,17x10^-8 A.

2,25x10^-10 A.

6,82x10^-8 A.

5,93x10^-10 A.

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