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Uma amostra de silício intrínseco sofreu um processo de dopagem. Isso significa que
uma amostra de silício tipo N foi aquecida ao ponto de tornarse condutor.
uma amostra de silício não pura foi aquecida até a liberação de suas impurezas.
os portadores de carga do silício puro (elétrons livres) foram substituídos por lacunas.
na amostra de silício puro, foram acrescentadas impurezas de modo a aumentar sua condutividade elétrica.