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Em um dispositivo semicondutor constituído de silício...
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor εs= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
A
0,66 eV, (0,78 + 0,0078) μm
B
0,75 eV,(0,68+ 0,0068) μm
C
0,56 eV,0,88+ 0,0088 μm
D
0,80 eV, (0,65+0,0065)μm