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O processo de dopagem de semicondutores refere-se à adição, ao cristal intrínseco, de pequena quantidade de impureza, com propriedades adequadas, de forma a afetar o comportamento elétrico do semicondutor da maneira desejada. Como exemplo de impurezas pentavalentes, pode-se citar:
o boro.
o alumínio.
o fósforo.
o gálio.
o tálio.