Os transistores de efeito de campo (JFET e MOSFET) representam um grande avanço na eletrônica por propiciarem uma redução considerável nos níveis de potência nos dispositivos eletrônicos bem como o aumento da densidade em circuitos integrados quando comparados aos transistores bipolares de junção (TBJ). Por outro lado, ao serem empregados como amplificadores de sinais, os transistores de efeito de campo
possuem uma maior transcondutância, resultando em um ganho de tensão mais elevado que os TBJs.
têm uma impedância de entrada muito alta, o que minimiza a carga no circuito de entrada e reduz a distorção do sinal.
dispõem de uma menor faixa dinâmica de operação, limitando sua utilidade em aplicações de amplificação de sinais de alta potência.
necessitam de uma corrente de porta significativa para operar corretamente, ao contrário dos TBJs que são controlados por tensão.
operam com uma impedância de saída mais baixa, proporcionando uma melhor transferência de potência ao estágio seguinte.