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No processo de produção e construção de dispositivos semicondutores, uma das formas de ...
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Q4075339
Teclas de Atalhos
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No processo de produção e construção de dispositivos semicondutores, uma das formas de dopagem é realizada com a introdução de impurezas trivalentes a um semicondutor intrínseco.
Nesse caso, o número de elétrons da camada de valência da impureza introduzida, o tipo de material dopado obtido e o portador majoritário de cargas criado nesse material são, respectivamente,
A
3 elétrons na camada de valência, material tipo P e elétron livre.
B
5 elétrons na camada de valência, material tipo N e lacuna.
C
3 elétrons na camada de valência, material tipo N e lacuna.
D
5 elétrons na camada de valência, material tipo P e elétron livre.
E
3 elétrons na camada de valência, material tipo P e lacuna.