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Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, i...
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Q4098345
Teclas de Atalhos
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Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.
A
Possui excesso de lacunas como portadores majoritários, devido à adição de átomos trivalentes.
B
A condutividade diminui com a introdução de impurezas doadoras.
C
Apresenta elétrons livres como portadores majoritários, provenientes da dopagem com elementos pentavalentes.
D
Transforma o silício em um isolante, pois impede o movimento de cargas.
E
Os portadores minoritários são elétrons livres, responsáveis pela condução elétrica.