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Q4301122
Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Características e propriedades dos materiais condutores, semicondutores isolantes
Teclas de Atalhos
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Devido a uma falha no processo de fabricação de uma junção PN de silício, o lado P ficou sem dopagem.
Considerando a temperatura de 300 K, número intrínseco do silício de, aproximadamente, 1010 e/cm3 e o número de doadores do lado N igual a 3 x 1016/cm3 , a voltagem na barreira de potencial dessa junção é de aproximadamente
(Obs: constante de Boltzman (k) = 1,38 x 10-23 J/K; carga do elétron (q) = 1,6 x 10-19 C; ln(3)≈1,1 e ln(10)≈2,3)
A
0,1 V
B
0,19 V
C
0,38 V
D
0,77 V
E
1,54 V