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Em células de silício cristalino sob regimes de alta injeção de portadores, a recombina...
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Q4311353
Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Características e propriedades dos materiais condutores, semicondutores isolantes
Teclas de Atalhos
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Em células de silício cristalino sob regimes de alta injeção de portadores, a recombinação Auger torna-se o mecanismo dominante. Analise as afirmativas sobre as características físicas deste processo.
I.A recombinação Auger envolve a colisão de três corpos (elétron-elétron-lacuna ou lacuna-lacuna-elétron), onde a energia da recombinação é transferida para um terceiro portador livre em vez de ser emitida como fóton.
II.Este mecanismo é não radiativo e sua taxa é proporcional ao cubo da densidade de portadores de carga, tornando-se limitante em células de alta eficiência e alta concentração.
III.A taxa de recombinação Auger é independente da dopagem do material e da intensidade luminosa, sendo considerada uma constante universal imutável para todos os semicondutores de gap indireto.
Está correto o que se afirma em:
A
I e III apenas.
B
I, II e III.
C
I e II apenas.
D
II apenas.