Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes 2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs 3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas: Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se: 1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes 2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs 3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

Entre as principais desvantagens do processo de implantação...

Q700446

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Ciências dos Materiais

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência - FUNRIO

Prova: FUNRIO - CEITEC - Analista Operacional - Área Materiais - 2012

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes

2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs

3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado

Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

Apenas a primeira.

Apenas a segunda.

Apenas a terceira.

Apenas duas delas.

Todas as três.

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