Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si? Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no...

Q700460

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Ciências dos Materiais

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência - FUNRIO

Prova: FUNRIO - CEITEC - Analista Operacional - Área Materiais - 2012

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

Em torno de 1 MeV.

Em torno de 100 keV.

Em torno de 10 MeV.

Em torno de 50 keV.

Em torno de 1 keV.

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