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No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose...
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Q700461
Teclas de Atalhos
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No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com
profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?
A
Em torno de 1010 cm-2
B
Em torno de 1011 cm-2
C
Em torno de 1012 cm-2
D
Em torno de ou maior que 1014 cm-2
E
Entre 1012 cm-2 e 1013 cm-2