A junção Schottky metal-semicondutor e a junção p-n apresentam características I-V similares, no entanto são dispositivos
fundamentalmente diversos.
Quanto à comparação entre esses dois sistemas pode-se afirmar, EXCETO:
A
A corrente na barreira Schottky é essencialmente de portadores majoritários.
B
A corrente na junção p-n é devida a portadores minoritários.
C
Os diodos de contato Schottky suportam uma corrente maior que os diodos p-n.
D
A corrente de saturação dos diodos Schottky é muito maior que no diodo p-n.
E
Diodos Schottky respondem melhor em altas freqüências que os diodos p-n, pois nesses últimos os minoritários
demandam mais tempo para esvaziar a região da barreira.