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Questões de Concurso sobre Características e propriedades dos materiais condutores, semicondutores isolantes
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Sobre os fotodiodos e os diodos emissores de luz (LEDs), assinale a opção INCORRETA.
A
Um isolador óptico é uma aplicação que combina um fotodiodo com um LED,
B
Ao contrário do LED, o fotodiodo converte sinais luminosos em eletricidade.
C
Fotodiodos iluminados sem polarização inversa funcionam como células solares.
D
LEDs são equivalentes a fotodiodos quando polarizados reversamente.
E
Um isolador óptico pode ser implementado com fibra óptica de longa distância.
Considerando-se que as resistividades da prata e do cobre são, respectivamente, 1,64 x 10-8 Q-m e 1,72 x 10-8 Ω.m, conclui-se que um condutor de prata de 1 m de comprimento e seção transversal de 5 mm? apresentará maior resistência elétrica do que um condutor de cobre de 1 m de comprimento e seção transversal de 10 mm2.
C
Certo
E
Errado
Com relação às propriedades dos materiais utilizados em instalações elétricas, assinale a alternativa correta.
A
Materiais condutores são escolhidos exclusivamente com base em sua resistência mecânica, independentemente da condutividade elétrica.
B
Materiais isolantes, como o PVC e o polietileno, são aplicados em condutores com a função de reduzir perdas por efeito Joule.
C
Materiais magnéticos não influenciam o desempenho de equipamentos elétricos, sendo utilizados apenas como suporte mecânico.
D
Materiais condutores, como o cobre e o alumínio, apresentam baixa resistividade elétrica, sendo amplamente utilizados em fios e cabos.
No que se refere aos sensores de proximidade, assinale a opção correta.
A
O sensor ultrassônico destaca-se por conseguir medir distâncias maiores, de modo que é adequado para diferentes materiais, mas apresenta restrição em relação à área mínima do alvo a ser detectado.
B
As principais desvantagens dos sensores capacitivos são a dificuldade de instalação em ambientes industriais e a vida útil reduzida, quando comparada à vida útil de outros tipos de sensores.
C
Sensores ópticos permitem medições rápidas e são insensíveis à cor e à refletividade do objeto detectado.
D
O sensor indutivo é capaz de detectar materiais metálicos e não metálicos com a mesma sensibilidade e eficácia.
E
Sensores baseados no efeito Hall podem ser aplicados em qualquer tipo de material, pois não exigem a presença de ímãs para operação.
Em materiais condutores, a velocidade de deriva (vd) pode ser calculada por = vd =n . 61, em que I é a corrente elétrica que passa pelo condutor, n é a densidade eletrônica e e é a carga elétrica elementar.
C
Certo
E
Errado
Os condutores são materiais que permitem a movimentação de cargas elétricas com facilidade, como os metais, o corpo humano e a água comum. Com base na estrutura atômica dos materiais condutores, analise as afirmações a seguir.
I Os materiais condutores possuem elétrons localizados mais distantes do núcleo atômico em comparação aos materiais não condutores. Esses elétrons estão sob a ação de forças atrativas mais fracas exercidas pelos prótons no núcleo.
II Os elétrons mais distantes do núcleo são chamados de elétrons livres ou de condução e facilitam o fluxo de corrente elétrica nos condutores.
III Os materiais condutores tendem a acumular carga estática com mais facilidade.
Das afirmações apresentadas, estão corretas apenas:
A
I e II
B
I e III
C
II e III
D
I
E
III
A tecnologia de semicondutor de óxido metálico complementar destaca-se no cenário de implementação de sinais mistos em tecnologia VLSI por sua capacidade de otimizar a densidade e a eficiência energética na esfera digital, bem como à sua versatilidade em fornecer um leque diversificado e adequado de componentes para a elaboração de projetos no espectro analógico.
C
Certo
E
Errado
Considerando conceitos referentes à resistência dos materiais, assinale a opção correta.
A
A deformação de uma barra é calculada por τ= APmeˊdio é, em que é a deformação, em kPA, P é o valor médio da carga aplicada na superfície da barra e A é a área da superfície da barra.
B
Em um projeto de estruturas, a escolha de um coeficiente de segurança muito grande pode levar a estruturas com uma possibilidade de falha desnecessariamente alta.
C
A tensão de cisalhamento em uma barra é calculada por σ = AP , em que σ é a tensão de cisalhamento, P é o valor da carga aplicada na secção transversal da barra e A é a área da seção transversal da barra.
D
A tensão de esmagamento em uma conexão entre uma placa e um parafuso é calculada por σe= t . dP, em que P é a carga feita pelo parafuso na placa, t é a espessura da placa e d é o diâmetro do parafuso.
E
A carga que um elemento estrutural ou um membro de máquina poderá suportar sob condições normais de utilização é chamada valor de carga-limite.
Analise as afirmativas abaixo e dê valores Verdadeiro (V) ou Falso (F), tendo como tema os materiais elétricos e suas aplicações.
( ) Pasta de silicone - é aplicada na proteção de partes de contatos e articulações condutoras e para o recobrimento de partes isolantes expostas.
( ) Porcelana porosa: utilizada para receber os fios resistivos destinados a fornos elétricos, muflas e câmaras de extinção
( ) Fluorcarboneto de silício - é um gás transparente, inodoro e não inflamável. Sua aplicação está em transformadores em subestações e como extintor de arcos elétricos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta de cima para baixo.
A
V - F - V
B
F - V - V
C
V - V - V
D
V - V - F
E
F - V - F
Para o sistema operando em 4 ciclos por segundo, com seção de condutor de 10 mm2, a resistência de aterramento é igual a 12 Ω.
C
Certo
E
Errado
Materiais condutores possuem elétrons livres em sua estrutura atômica, o que facilita a passagem da corrente elétrica; materiais isolantes têm banda de valência completamente preenchida e larga banda proibida, o que impede a movimentação livre de elétrons, dificultando a condução de corrente elétrica.
C
Certo
E
Errado
Os semicondutores são a matéria prima dos dispositivos eletrônicos, como diodos, TBJ, MOSFET, dentre outros.
Com relação aos materiais semicondutores, assinale a afirmativa correta.
A
Os semicondutores puros são bons condutores de eletricidade em temperatura ambiente (23ºC).
B
A dopagem de semicondutores com impurezas das famílias 3A ou 5A da tabela periódica reduz a condutividade elétrica.
C
Um material do tipo p pode ser obtido a partir da inserção de impurezas da família 3A da tabela periódica em um semicondutor puro.
D
Em semicondutores do tipo n há a prevalência de “buracos” como portadores de carga.
E
Ao se juntar um material do tipo p com um do tipo n é formada uma região de depleção, na qual o campo elétrico é nulo.
Considere um condutor sólido de material condutivo. Um segundo condutor tem o dobro de comprimento e um terceiro condutor tem o dobro de área. Suas resistências elétricas, em função do primeiro condutor, são, respectivamente:
A
dobro e dobro
B
dobro e metade
C
metade e dobro
D
metade e metade
Com relação aos materiais condutores, isolantes e magnéticos, temos que:
A
os materiais ferromagnéticos apresentam fenômeno de histerese.
B
os materiais isolantes apresentam 4 elétrons na camada de valência e baixa rigidez dielétrica.
C
o fluxo magnético escolhe o caminho de menor permeabilidade em materiais diferentes.
D
os materiais condutores têm coeficiente de temperatura negativo.
E
os materiais paramagnéticos não se alinham paralelamente ao campo magnético aplicado.
A resistência elétrica total entre a base e o topo de um cilindro de cobre é diretamente proporcional ao diâmetro do cilindro e inversamente proporcional ao comprimento do cilindro e à resistividade elétrica do cobre.
C
Certo
E
Errado
Considere que, em um espaço xyz, dois fios condutores infinitos e paralelos ao eixo z passem pelos pontos k1 e k2, correspondentes às coordenadas (0, a) e (0, −a) do plano xOy; o fio que passa por k1 conduza corrente elétrica I no sentido positivo do eixo z e o fio que passa por k2 conduza corrente elétrica I no sentido negativo do eixo z. Nessa situação, o campo magnético no ponto (x, y, z) = (a, 0, 0) gerado por essas correntes possui a direção do eixo y, sentido positivo.
C
Certo
E
Errado
Em materiais semicondutores fabricados com silício, a mobilidade de elétrons é maior que a mobilidade das lacunas, por isso, na fabricação de circuitos de alto desempenho e baixo consumo, é empregada, predominantemente, a tecnologia que utiliza apenas transistores NMOS.
C
Certo
E
Errado
Mapeando-se o comportamento da variação da resistência elétrica de um dispositivo na presença de luz a ponto de gerar uma função e atribuir uma escala, será possível conceber-se um tipo de fotodetector.
C
Certo
E
Errado
O especial interesse em utilizar-se silício em fotônica decorre da transparência do material para o espectro visível, o que permite a concepção de sistemas que aliem transporte de carga e de radiação com eficiência.
C
Certo
E
Errado
Ao contrário do material em bulk, filmes finos de semicondutores não podem sofrer um processo de dopagem para modificar suas propriedades elétricas, porque esse tipo de processo tende a romper a estrutura cristalina.
C
Certo
E
Errado
Gerar simulado