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Q700455
Teclas de Atalhos
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Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?
A
Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
B
Implantação de íons de 31P+seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
C
Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
D
Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de
600ºC.
E
Implantação de íons de 31P+seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de
1000ºC.