Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Ciências dos Materiais

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?
  • A. Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
  • B. Implantação de íons de 31P+seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
  • C. Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
  • D. Implantação de íons de 75As+ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.
  • E. Implantação de íons de 31P+seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.