Um CMOS composto de cádmio possui uma forma quadrangular medindo 4,0mm de largura e 1,5mm de espessura e está inserido sob um substrato de alumina, que se encontra à temperatura de 25oC. Sabe-se o CMOS tem uma potência de entrada de 0,2W. A sua superfície superior está sendo exposta a um fluido refrigerante a 20oC, sob um regime permanente. O coeficiente de transferência de calor para a convecção entre o CMOS e o fluido é de 200 W/m2.K. Determine a temperatura da superfície do chip em oC e a condutividade térmica do material do CMOS em W/m.K, considerando-se que exista um contato perfeito entre o CMOS e o substrato de alumina e que a variação de temperatura no CMOS seja linear. Um CMOS composto de cádmio possui uma forma quadrangular medindo 4,0mm de largura e 1,5mm de espessura e está inserido sob um substrato de alumina, que se encontra à temperatura de 25oC. Sabe-se o CMOS tem uma potência de entrada de 0,2W. A sua superfície superior está sendo exposta a um fluido refrigerante a 20oC, sob um regime permanente. O coeficiente de transferência de calor para a convecção entre o CMOS e o fluido é de 200 W/m2.K. Determine a temperatura da superfície do chip em oC e a condutividade térmica do material do CMOS em W/m.K, considerando-se que exista um contato perfeito entre o CMOS e o substrato de alumina e que a variação de temperatura no CMOS seja linear.

Um CMOS composto de cádmio possui uma forma quadrangular...

Q1058330

Engenharia Mecânica Transferência de Calor (Condução, Convecção e Radiação)

Ano: 2009

Prova: FGV - PC RJ - Perito Criminal - Área Engenharia Mecânica - 2009

Um CMOS composto de cádmio possui uma forma quadrangular medindo 4,0mm de largura e 1,5mm de espessura e está inserido sob um substrato de alumina, que se encontra à temperatura de 25oC. Sabe-se o CMOS tem uma potência de entrada de 0,2W. A sua superfície superior está sendo exposta a um fluido refrigerante a 20oC, sob um regime permanente. O coeficiente de transferência de calor para a convecção entre o CMOS e o fluido é de 200 W/m2.K. Determine a temperatura da superfície do chip em oC e a condutividade térmica do material do CMOS em W/m.K, considerando-se que exista um contato perfeito entre o CMOS e o substrato de alumina e que a variação de temperatura no CMOS seja linear.

82,5 e 0,33

–42,5 e 0,88

50 e 0,66

82,5 e 0,88

65,5 e 0,45

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