No circuito amplificador abaixo o transistor é de silício e apresenta os parâmetros híbridos h fe = 100, h ie = 1000 Ω, h re = 0 e h oe = 0 Mhos. O amplificador opera em região linear e os capacitores apresentam reatâncias desprezíveis na freqüência de operação. Se R1 = 1000 gfhgfg, R2 = 10 kΩ, R3 = 22 kΩ, R4 = 1 kΩ e Vcc = 15 Volts, o valor mais próximo para a impedância de entrada para pequenos sinais do circuito será de: No circuito amplificador abaixo o transistor é de silício e apresenta os parâmetros híbridos h fe = 100, h ie = 1000 Ω, h re = 0 e h oe = 0 Mhos. O amplificador opera em região linear e os capacitores apresentam reatâncias desprezíveis na freqüência de operação. Se R1 = 1000 gfhgfg, R2 = 10 kΩ, R3 = 22 kΩ, R4 = 1 kΩ e Vcc = 15 Volts, o valor mais próximo para a impedância de entrada para pequenos sinais do circuito será de:

No circuito amplificador abaixo o transistor é de silício e...

Q178615

Ano: 2004

Banca: Núcleo de Computação Eletrônica UFRJ - NCE

Prova: NCE - INFRAERO - Engenheiro - Área Telecomunicação - 2004

No circuito amplificador abaixo o transistor é de silício e apresenta os parâmetros híbridos h _fe = 100, h ie = 1000 Ω, h _re = 0 e h _oe = 0 Mhos. O amplificador opera em região linear e os capacitores apresentam reatâncias desprezíveis na freqüência de operação.

Imagem associada para resolução da questão

Se R1 = 1000 gfhgfg, R2 = 10 kΩ, R3 = 22 kΩ, R4 = 1 kΩ e Vcc = 15 Volts, o valor mais próximo para a impedância de entrada para pequenos sinais do circuito será de:

10 ;

100 ;

200 ;

500 ;

1000 .

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