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Considerando um feixe de fótons de megavoltagem incidente...
Considerando um feixe de fótons de megavoltagem incidente em um meio de baixo número atômico, pode-se afirmar que, no intervalo de profundidades no meio conhecido como região de buildup, a dose absorvida (D), o kerma (K) e o kerma eletrônico (Kel) estão relacionados por:
A
K = Kel = D
B
K = Kel ≥ D
C
K ≥ D = Kel
D
K > D > Kel
E
K ≥ Kel > D