Considere que, em um semicondutor intrínseco, com baixa c...

Q4483833

Ano: 2023

Banca: Universidade Federal de Minas Gerais - UFMG

Prova: UFMG - UFMG - Físico - 2023

Considere que, em um semicondutor intrínseco, com baixa concentração de portadores de carga, a distribuição de elétrons entre as bandas de valência e de condução pode ser aproximada pela distribuição de Maxwell-Boltzmann, que pode ser escrita na seguinte forma:

$\frac{N ( E )}{N} = \frac{1}{Z} e^{\frac{- ( E - E _{0} )}{k T}}$

onde N(E) é número de partículas em uma determinada energia E; N é o número total de partículas no sistema; Z é uma função de partição; E₀ é um nível de energia de referência; k é a constante de Boltzmann (8,617 × 10^-5eV.K^-1); e T é a temperatura de equilíbrio.

Sabendo que o band-gap do silício puro é de 1,1 eV, qual é aproximadamente a razão entre o número de elétrons na base da sua banda de condução e no topo da sua banda de valência em uma temperatura de 27oC?

$e^{42, 6}$

$e^{- 472, 8}$

$e^{- 42, 6}$

$e^{472, 8}$

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Considere que, em um semicondutor intrínseco, com baixa concentração de portadores de c...