O transistor do circuito abaixo tem as seguintes características: VCEsat = 200mV, VBEsat = 800mV e deve ter uma relação IC/IB = 50 quando saturado. O lado esquerdo de RB está ligado a um circuito digital que fornece, conforme o estado lógico, 0 V ou +5 V e, dessa forma, o transistor deverá estar cortado ou saturado. De acordo com as informações fornecidas, o valor do resistor RB é: O transistor do circuito abaixo tem as seguintes características: VCEsat = 200mV, VBEsat = 800mV e deve ter uma relação IC/IB = 50 quando saturado. O lado esquerdo de RB está ligado a um circuito digital que fornece, conforme o estado lógico, 0 V ou +5 V e, dessa forma, o transistor deverá estar cortado ou saturado. De acordo com as informações fornecidas, o valor do resistor RB é:

O transistor do circuito abaixo tem as seguintes...

Q2560839

Engenharia de Telecomunicações Circuitos Elétricos

Ano: 2018

Banca: Fundação Mariana Resende Costa - FUMARC

Prova: FUMARC - CEMIG - Técnico - Área: Telecomunicações - 2018

O transistor do circuito abaixo tem as seguintes características: V_CEsat = 200mV, V_BEsat = 800mV e deve ter uma relação I_C/I_B = 50 quando saturado. O lado esquerdo de RB está ligado a um circuito digital que fornece, conforme o estado lógico, 0 V ou +5 V e, dessa forma, o transistor deverá estar cortado ou saturado. De acordo com as informações fornecidas, o valor do resistor RB é:

Imagem associada para resolução da questão

600 Ω

1 kΩ

1,4 kΩ

2,1 kΩ

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