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Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do semicondutor uma quantidade de átomos contendo excesso de um elétron de valência relativamente ao número de elétrons da camada mais externa de cada átomo de cristal, é correto afirmar que se forma um
semicondutor tipo p.
semicondutor tipo n.
semicondutor tipo pn.
semicondutor tipo neutro.
semicondutor tipo diodo.