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Considere um processo em que um material semicondutor impuro com 20 bilhões de átomos de silício é submetido à dopagem com átomos pentavalentes na quantidade de 25 milhões. Esse processo resulta em um material impuro ou extrínseco com aproximadamente:
15 milhões de elétrons.
20 milhões de elétrons.
25 milhões de elétrons.
30 milhões de elétrons.
35 milhões de elétrons.