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No processo de dopagem para fabricação de placas e...
No processo de dopagem para fabricação de placas e dispositivos eletrônicos, a impureza é realizada fundindo- se o silício com impurezas. Após esse processo, em relação ao material p, é correto afirmar que:
A
a fusão com silício é realizada com impurezas pentavalentes.
B
não pode ser realizada a dopagem para material tipo p.
C
para produzir material tipo p, a fusão é realizada com impurezas trivalentes (ou seja, com 3 elétrons na camada de valência).
D
após o processo de dopagem, o grau de pureza desse material extrínseco tipo p é 100%.
E
o silício puro tem grau de impureza 100%.