Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas. ( ) Baixa impedância de entrada. ( ) Maior imunidade a ruído. ( ) Menor estabilidade térmica. ( ) Fabricação relativamente simples. A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é: Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas. ( ) Baixa impedância de entrada. ( ) Maior imunidade a ruído. ( ) Menor estabilidade térmica. ( ) Fabricação relativamente simples. A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:

Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET)...

Q3732493

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica Amplificadores, diodos, transistores, tiristores e dispositivos correlatos

Ano: 2025

Banca: Fundação Universidade Empresa de Tecnologia e Ciências - FUNDATEC

Prova: FUNDATEC - IFAM - Engenheiro - Área: Elétrica - 2025

Segundo Balbinot (2010), o field effect transistor (FET), ou transistor de efeito de campo, é um dispositivo unipolar, sua operação parte do princípio de que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo “P” ou portadores do tipo “N”, os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N. Referente às principais vantagens do FET em relação ao transistor bipolar, assinale V, se verdadeiras, ou F, se falsas.

( ) Baixa impedância de entrada.

( ) Maior imunidade a ruído.

( ) Menor estabilidade térmica.

( ) Fabricação relativamente simples.

A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:

V – V – F – V.

F – F – V – F.

V – F – V – F.

F – V – F – V.

V – F – F – V.

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