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O __________ é um dispositivo semicondutor de potência que combina características de _...

O __________ é um dispositivo semicondutor de potência que combina características de __________ e transistores bipolares, oferecendo alta impedância de entrada, comutação rápida e baixa resistência, mesmo em altas tensões e correntes. O ___________ é amplamente utilizado em inversores de frequência, fontes de alimentação chaveadas, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável e outras aplicações de alta potência.


Assinale a alternativa que completa correta e respectivamente as lacunas do texto:


A

IGBT − MOSFETs − IGBT.


B

MOSFET − DIACs − MOSFET.


C

DIAC − MOSFETs − DIAC.


D

IGBT − ZENERs − IGBT.


E

MOSFET − ZENERs − MOSFET.