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Considerando um cristal de silício puro e semicondutores dopados, assinale a alternativa correta.
Um semicondutor intrínseco apresenta condutividade muito alta à temperatura ambiente, pois possui grande número de portadores de cargas livres.
A dopagem do silício com átomos pentavalentes (como o fósforo) cria um semicondutor tipo P, caracterizado pela predominância de lacunas como portadores majoritários.
A dopagem do silício com átomos trivalentes (como o boro) cria um semicondutor tipo N, caracterizado pela predominância de elétrons como portadores majoritários.
O aumento da temperatura em um semicondutor intrínseco aumenta a condutividade, pois promove a geração de pares elétron-lacuna.
A condutividade de um semicondutor é independente do tipo e da concentração de dopantes e depende apenas da estrutura cristalina do material.