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Os dispositivos semicondutores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e MOSFET (Metal...
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Q4301934
Teclas de Atalhos
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Os dispositivos semicondutores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) são amplamente utilizados como chaves eletrônicas em conversores e inversores de potência, pois permitem o controle de grandes correntes com sinal de comando de baixa potência. Com base na estrutura física e no princípio de operação desses dispositivos, analise as afirmativas a seguir:
I. Tanto o IGBT quanto o MOSFET são dispositivos controlados por tensão aplicada ao gate, com elevada impedância de entrada devido à presença da camada isolante de dióxido de silício, 𝑆𝑖𝑂2.
II. No MOSFET, a condução é realizada apenas por portadores majoritários, elétrons, enquanto no IGBT há injeção de portadores minoritários.
III. O IGBT apresenta queda de tensão de condução praticamente constante (𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)), enquanto o MOSFET possui comportamento resistivo, com perdas proporcionais a 𝐼2𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛).
É correto o que se afirma em
A
II, apenas.
B
I e II, apenas.
C
I e III, apenas
D
II e III, apenas.
E
I, II e III.