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A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:
𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 (enVTVD−1)
Sabe-se que 𝑰𝑺 é a corrente de saturação reversa, 𝑽𝑻 = qkT é a tensão térmica e 𝒏 é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com 𝑰𝑺 = 𝟏𝟎−𝟏𝟐𝑨, 𝒏 = 𝟏, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será
0,37 V.
0,48 V.
0,51 V.
0,55 V.
0,61 V.